一种高均应性扩张的扩晶机

2015-05-25


技术领域

      本发明涉及一种半导体行业和LED行业使用的扩晶机,使得晶元均匀 扩张,相邻芯片之间的距离相等,减少后续的测量和分选工艺占用的机器 分辨和定位时间,达到晶元级封装的要求,便于后续的工艺流程。

背景技术

      晶元(wafer)上正方形和矩形芯片的切割道(cutting street)是沿 互相垂直的两个方向:X方向和Y方向,X方向与晶元的平边(flat) 行。现有的扩晶机(wafer expander)都是沿晶元的半径方向扩张,因此, 同一切割道方向上的相邻芯片(chip)之间的距离不相等,使得后续的测 量和分选的工艺占用较多的机器分辨和定位时间。另外,芯片级封装(chip  scale package)或晶元级封装(wafer level package)要求同一切割道 方向上的芯片之间的距离基本上相同。因此,需要一种扩晶机,使得扩张 后的晶元上的同一切割道方向的芯片之间的距离基本上相同。

发明内容

      本发明的首要目的是提供一种扩晶机,使得扩张后的晶元上同一切割 道方向上相邻的芯片之间的距离基本相同,芯片之间的沿X方向的距离与 沿Y方向的距离相同,使得后续的测量和分选的工艺占用较少的机器分辨 和定位时间,满足芯片级封装的要求。第二个目的是提供一种扩晶机,使 得扩张后的晶元在X方向的相邻的芯片之间的距离基本上相同,在Y方向 的相邻的芯片之间的距离基本上相同,芯片之间的沿X方向的距离与沿Y 方向的距离不同,因此,适用于矩形芯片,满足芯片级封装的要求。第三 个目的是提供一种带有附件的扩晶机,达到上述第一和第二个目的。

工作原理

      扩晶机包括:框架结构、顶膜结构、压 膜结构、压环结构。顶膜结构设置在框架结构的内部,沿垂直方向往返运 动,扩张放置在其上的十字形蓝膜。压膜结构设置在框架结构上方,压紧 和放松十字形蓝膜。压环结构设置在顶膜结构的上方,压环结构下降,将 扩张后的十字形蓝膜保持扩张状态。其特征在于,顶膜结构使得十字形蓝 膜沿晶元的芯片切割道方向扩张。

实施实例

      顶膜结构的顶端的表面是蓝膜接触面, 十字形蓝膜放置在蓝膜接触面上。蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形 或矩形,决定了十字形蓝膜扩张方向。一个实施实例:顶膜结构包括一个 主体。主体的顶端表面是蓝膜接触面。蓝膜接触面的俯视的形状为正方形 或矩形体。一个实施实例:顶膜结构包括第一主体和第二主体。第一主体 设置在第二主体上方。第二主体的外形是圆柱体。第一主体的顶端的表面 是蓝膜接触面,蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形。

实施实例

      顶膜结构的顶端形成凸台和扩晶环支持 面。十字形蓝膜放置在凸台的蓝膜接触面和内扩晶环的顶面上。放在扩晶 环支持面上的内扩晶环的顶端的外周的俯视形状为正方形或矩形,决定了 十字形蓝膜沿XY方向扩张。一个实施实例:顶膜结构包括一个主体。 主体的顶端形成凸台和扩晶环支持面。一个实施实例:顶膜结构包括第一 主体和第二主体。第一主体设置在第二主体上方。第二主体的形状为圆柱体。第一主体的顶端形成凸台和扩晶环支持面。

实施实例

      顶膜结构的顶端的表面是蓝膜接触面。 顶膜结构的顶端形成扩晶环槽。扩晶环槽把所述蓝膜接触面分成2部分: 内蓝膜接触面和外蓝膜接触面。外蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形 或矩形,决定了十字形蓝膜沿XY方向扩张。十字形蓝膜放置在内蓝膜 接触面和外蓝膜接触面上,使得十字形蓝膜上的晶元在内蓝膜接触面上方,晶元的外周边缘没有超过内蓝膜接触面的外周边界。扩晶环槽的宽度等于 或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和。扩晶环槽的深度等于或大 于内扩晶环或外扩晶环的宽度。一个实施实例:顶膜结构包括一个主体,主体的顶端表面形成扩晶环槽。一个实施实例:顶膜结构包括第一主体和第二主体。第一主体设置在第二主体上方。第二主体的形状为圆柱体。第 一主体的顶端形成扩晶环槽。


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