制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法

2015-07-03

本发明提供了一种制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法。该方法包括:步骤A,在衬底上生长GaN材料,制备GaN外延片;步骤B,通过深刻蚀工艺在所述GaN外延片上形成多个独立的LED结构;以及步骤F,对准不同列的LED结构,在蓝宝石衬底背面涂敷不同荧光粉,以形成红、绿、蓝LED芯片,从而形成晶圆级全彩LED显示阵列。本发明制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法由逐列涂覆的荧光粉直接在LED蓝宝石wafer上实现全彩显示,从而实现了晶圆级LED显示阵列的像素尺寸小于500um。

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