一种InP-InAsP纳米线LED及其制备方

2015-07-03

一种InP-InAsP纳米线LED及其制备方法,属于发光二极管技术领域。包括衬底,衬底的一面自下而上依次沉积设置p-InP纳米线层、InAsxP1-x纳米线阵列和n-InP纳米线层,衬底的另一面沉积设置第一电极,n-InP纳米线层上沉积设置第二电极,InAsxP1-x纳米线阵列为LED的有源层,其中x值的范围为0~0.6。本发明以InAsP纳米线阵列作为有源层,可获得较高发光效率;根据不同场合或不同客户的需要,通过对InAsP纳米线阵列的尺寸等进行控制调节,可得到不同波段的出射光,可制备出发红光、红外光和中红外光等多种颜色的发光器件。

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