一种在GaN衬底上同质外延生长的方法

2015-07-03

本发明公开了一种在GaN衬底上同质外延生长的方法,利用环状图形掩膜侧向外延实现氮化镓(GaN)衬底上同质外
延生长,该方法能够获得比较完美的GaN外延层,可有效降低位错密度,该外延层位错密度可以达到106/cm2以下
;可有效降低GaN基LED的压电极化效应,增加内量子复合效率及外量子发射效率,综合出光效率可达到普通LED的
1.5倍以上;可有效降低器件发热量,增加器件使用寿命。

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