MOCVD生长氮化物外延层的方法

2015-07-03

一种用MOCVD生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法,它采用MOCVD技术,利用高纯NH3做N源,
高纯H2或N2做载气,三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)和三甲基铟(TMIn)和三甲基铝(TMAl)分别做Ga源和In源
和Al源;衬底为蓝宝石(Al2O3);该方法包括在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底加热到500℃,在H2气氛下,通入三甲基镓(TMGa)生长一GaN层,在高温(~1200℃)H2气氛下,GaN和衬底表层的蓝宝石(Al2O3)发生反应,可以更好地清除蓝宝石表面的损伤层及其表面的污染,也可以在蓝宝石表面腐蚀出纳米量级的微坑,这些微坑对改善外延层的质量有好处,更重要的是可以增加LED的出光效率。

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