东莞市中镓半导体科技有限公司

2015-01-31

一、公司成立

  东莞市中镓半导体科技有限公司成立于20091月,总部设于广东东莞,总注册资本为1亿元人民币,总部设立厂房办公区等共17000多平方米,并在北京设立面积达1000平方米的大型研发中心,为中国国内首家专业生产氮化镓(GaN)的企业。

                     

二、人才队伍

  企业以北京大学宽禁带半导体研究中心为技术依托,引进国内外优秀的技术及管理团队, 2010年获建博士后工作站,截至2012年有院士1人,教授级别人员共6人,博士13人,硕士7人,拥有先进的技术及管理优势。

三、公司资质和荣誉

     2009年成立北大中镓半导体研究中心;同年被广东省人民政府批准的首批创新科研团队;成为广东省现代产业500强项目;被广东省科学技术厅评为“国际科技合作基地”。

     2011年被全国高科技质量监督广东委员会评为“广东省科技创新  质量管理先进单位”;同年被广东省科学技术厅评为“广东省民营科技企业”、被广东省经济和信息化委员会评为“广东省战略性新兴产业骨干企业”。

  同时中镓入选《广东经济》理事学会理事单位、东莞市电子元件协会常务副会长单位、东莞电子信息产业 数码产业协会常务副会长单位、东莞市半导体行业副会长单位、CSA国家半导体照明工程研发及产业联盟成员单位等。

四、主营业务与专利技术

     本企业创造性地采用MOCVD技术、激光剥离技术、HVPE技术相结合的方法,研发、生产产品包括:(1GaN半导体衬底材料,包括GaN衬底,GaN/ Al2O3复合衬底,图形化蓝宝石衬底(PSS);(2)生产上述产品的设备,如激光剥离设备等。并对相应技术拥有自主知识产权,其中拥有国家授权发明专利6项,授权实用新型4项,申请发明专利17项,申请实用新型专利2项,申请PCT国际发明专利4项,其中2项已进入欧美日韩等多个国家地区,并获得受理,其中一项已获得韩国专利局授权,技术达到国际先进水平。使本企业在国内国际竞争中处于一个优势位置。

五、公司发展与规划

  目前,公司已建成国内首家专业的氮化镓(GaN)衬底材料生产线,制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底,并能够稳定生产。

  相关产品技术达到国际先进乃至国际领先水平,形成世界一流的国内最大型的衬底材料及半导体设备的生产基地。企业拟以衬底核心技术为基础,全面进入氮化物半导体技术的研发和生产,实现完整的产业链的垂直整合结构发展,打造国际一流的大型半导体材料科研生产基地,逐步推进形成达百亿产值的半导体产业集群。

六、公司愿景

  本公司专注于生产高品质的半导体衬底材料、相关先进设备的高精密制造,竭诚为广大国内外用户提供最优质的服务,立足中国,放眼全球,竭力为中国乃至世界半导体行业带来一个新的发展契机。


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